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技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 300
• Vce(sat),Max(V) 3.75
• Ton(us) 0.11
• Toff(us) 0.55
• Rth(j-c),K/W 0.064
• Pc(W) 1950
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 高短路能力，自我限制短路电流
• 低开关损耗
• 无可比拟的耐用性
• V（CESAT）具有正温度系数
• CTI>400
• 高漏电距离和电气间隙
• 隔离底板
• 铜基板
• 标准外形
优点：
• 灵活性
• 最佳的电气性能
• 最高的可靠性
目标应用：
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源（UPS）
• 商业，农业和工程车辆（CAV）
• 感应加热
• 工业焊接